기술 혁신으로 읽기·쓰기 성능 약 '30% 향상'
SK하이닉스가 세계 최초로 CTF(Charge Trap Flash) 기반 4D 낸드플래시 구조의 96단 512Gb TLC(Triple Level Cell) 낸드플래시 개발에 성공했다.
512Gbit 낸드는 칩 하나로 64GByte(기가바이트)의 고용량 저장장치 구현이 가능한 고부가가치 제품으로 회사는 연내 초도 양산할 방침이다.
4D 낸드는 기존 일부 업체가 플로팅 게이트(Floating Gate) 셀(Cell) 구조에 PUC를 결합한 방식과 다르다. 대부분 업체가 3D 낸드에 채용 중인 CTF 셀 구조와 PUC 기술을 결합했다.
SK하이닉스는 특성이 우수한 CTF 기반에서는 최초로 PUC를 도입해 업계 최고 수준의 성능과 생산성을 동시에 구현한 차별성을 강조하기 위해 이 제품을 'CTF 기반 4D 낸드플래시'로 명명했다.
이 제품은 72단 512Gbit 3D 낸드보다 칩 사이즈는 30% 이상 줄었고, 웨이퍼당 비트 생산은 1.5배 증가했다. 한 칩 내부에 플레인을 4개 배치해 동시 처리 가능한 데이터를 업계 최고 수준인 64KByte(킬로바이트)로 2배 늘렸다.
또한, 기존 3D 낸드 대비 4D 낸드의 장점인 작은 칩 사이즈를 활용해 스마트폰용 모바일 패키지에 탑재 가능하도록 개발됐다. 이에 따라 96단 512Gbit 4D 낸드 1개로 기존 256Gbit 3D 낸드 2개를 완벽하게 대체할 수 있어 원가 측면에서도 유리하다.
김정태 SK하이닉스 상무는 “향후 개발 플랫폼이 될 CTF 기반 96단 4D 제품은 업계 최고 수준의 원가경쟁력과 성능을 동시에 갖췄다”며 “연내 초도 양산을 시작하고, 최근 준공한 M15에서도 본격 양산에 돌입할 것”이라고 말했다.
